| Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性 |
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| 引用本文： | 张晓青,夏钟福,潘永刚,张冶文.Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性[J].功能材料,2000,31(5):476-478. |
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| 作者姓名： | 张晓青 夏钟福 潘永刚 张冶文 |
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| 作者单位： | 同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，59682003， |
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| 摘 要： | 非晶态二氧化硅（ＳｉＯ２）具有优良的驻极体性质，可制成微型化、集民经和机敏化的高灵敏度的传感器。但是，热氧化ＳｉＯ２驻极体膜的高压应力引起微结构变形，对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研究成氮化硅／二氧化硅Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２）双层膜，可使其内应力相互补偿。本文讨论了双怪膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性。实验结果表明，Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层膜系统的电荷寿命比ＳｉＯ２驻极
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| 关 键 词： | 驻极体 双层薄膜 电荷储存 电荷输运 传感器 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)05-0476-03 |
| 修稿时间： | 1999-08-13 |
The Stability of Charge Storage and Property of Charge Transport of Si3N4/SiO2 Double Layer Electret Based on Si Substrate |
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| ZHANG Xiaoqing,XIA Zhongfu,PAN Yonggang,ZHANG Yewen.The Stability of Charge Storage and Property of Charge Transport of Si3N4/SiO2 Double Layer Electret Based on Si Substrate[J].Journal of Functional Materials,2000,31(5):476-478. |
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| Authors: | ZHANG Xiaoqing XIA Zhongfu PAN Yonggang ZHANG Yewen |
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| Affiliation: | ZHANG Xiaoqing ,XIA Zhongfu ,PAN
Yonggang ,ZHANG Yewen
(Pohl Institute of Solid State Physics,Tongji University,Shanghai,200092,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electret doublefilm chargestorage chargetransport |
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