| 磁控溅射工艺对Vox薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 聂竹华. 磁控溅射工艺对Vox薄膜结构和性能的影响[J]. 红外, 2010, 31(9): 9-13. DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2010.09.003 |
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| 作者姓名： | 聂竹华 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009;中国电子科技集团公司43研究所,安徽,合肥,230022 |
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| 基金项目： | 国家“973”项目;安徽省自然科学基金;安徽省高校自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8∶25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时,单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 退火 Vox薄膜 工艺 电阻温度系数 |
| 收稿时间： | 2010-05-04 |
| 修稿时间： | 2010-05-04 |
Influence of Magnetron Sputtering Process on Properties and Structures of VOx Thin Films |
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| niezhuhua. Influence of Magnetron Sputtering Process on Properties and Structures of VOx Thin Films[J]. Infrared, 2010, 31(9): 9-13. DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2010.09.003 |
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| Authors: | niezhuhua |
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| Affiliation: | Hefei University of Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering annealing VOx thin films process TCR |
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