| 感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN／A1GaN |
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| 引用本文： | 王冲,冯倩,郝跃,杨燕.感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN／A1GaN[J].西安电子科技大学学报,2006,33(4):520-523. |
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| 作者姓名： | 王冲 冯倩 郝跃 杨燕 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育郝重点实验室,陕西西安710071 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究项目（973）资助（2002CB311904）;国家部委预研项目资助（41308060106） |
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| 摘 要： | 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.72N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小．随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2／Ar为3：l的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大．却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降．从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性．发现反向漏电流随自偏压的增大而增大．
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| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤 |
| 文章编号： | 1001-2400（2006）04-0520-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-09 |
| 修稿时间： | 2005-09-09 |
Selective etching of GaN/AIGaN by Inductively coupled plasma |
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| WANG Chong, FENG Qian, HAO Yue, YANG Yan.Selective etching of GaN/AIGaN by Inductively coupled plasma[J].Journal of Xidian University,2006,33(4):520-523. |
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| Authors: | WANG Chong FENG Qian HAO Yue YANG Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Inductively coupled plasma etching rates selective etch selectivity etching damage |
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