| 内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料 |
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| 引用本文： | 闫联生,李贺军,崔红,王涛. 内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料[J]. 材料工程, 2005, 0(9): 41-44,52 |
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| 作者姓名： | 闫联生 李贺军 崔红 王涛 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学,材料学院,西安,710072
2. 西安航天复合材料研究所,西安,710025 |
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| 摘 要： | 采用内部硅化法制备了低成本C/SiC复合材料,通过三点弯曲法表征了复合材料的强度,采用X射线衍射(XRD)分析了基体组成,通过扫描电镜(SEM)研究了纤维/基体界面和复合材料断裂面的微观结构.结果表明,纤维表面沉积CVD-SiC保护涂层能够有效保护碳纤维不被硅侵蚀,调整硅粉和酚醛树脂配比使C∶Si摩尔比等于10∶ 9,可消除SiC基体中的残余自由硅.研制的低成本2D C/SiC复合材料的弯曲强度和剪切强度分别达到247MPa与13.6MPa.2D C/SiC复合材料的断裂行为呈现韧性破坏模式,在断裂面存在大量的拔出纤维,复合材料的断裂韧性(KIC)达到12.1MPa·m1/2.
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| 关 键 词： | 液相渗硅技术 碳/碳化硅复合材料 界面涂层 硅化处理 |
| 文章编号： | 1001-4381（2005）09-0041-04 |
| 收稿时间： | 2004-09-30 |
| 修稿时间： | 2004-09-302005-03-29 |
C/SiC Composites Prepared by Inner Siliconizing Process |
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| YAN Lian-sheng,LI He-jun,CUI Hong,WANG Tao. C/SiC Composites Prepared by Inner Siliconizing Process[J]. Journal of Materials Engineering, 2005, 0(9): 41-44,52 |
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| Authors: | YAN Lian-sheng LI He-jun CUI Hong WANG Tao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | liquid silicon infiltration C/SiC composite interface coating siliconizing |
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