| 微波功率器件金属化布线回流加固结构 |
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| 引用本文： | 孙英华,李志国,程尧海,张万荣. 微波功率器件金属化布线回流加固结构[J]. 半导体学报, 2000, 21(7): 705-710 |
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| 作者姓名： | 孙英华 李志国 程尧海 张万荣 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系!北京100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金和北京市科技新星计划资助[Project Supported by Natural Science Foundation of Beijing and by New-Star Plan of Science and Technology of Beijing]. |
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| 摘 要： | 在回流动力学理论和实验研究的基础上,将回流加固结构应用于实际微波功率器件.结合器件具体结构和制备工艺,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析,结合实际工艺优化设计了回流加固结构,制备了六种结构样管,电热应力试验结果表明:采用一个缝隙、缝隙宽度为3μm的结构回流加固效果最好,抗热电徙动能力最强.利用回流效应可有效降低微波管中的纵向(Al-Si界面)电迁徙失效,提高器件可靠性
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| 关 键 词： | 回流结构 金属化 微波功率器件 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)07-0705-06 |
| 修稿时间： | 1999-04-08 |
Novel Backflow Structure Hardening Metallization System in Microwave Power Device |
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| SUN Ying|hua,LI Zhi|guo,CHENG Yao|hai and ZHANG Wan|rong. Novel Backflow Structure Hardening Metallization System in Microwave Power Device[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 705-710 |
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| Authors: | SUN Ying|hua LI Zhi|guo CHENG Yao|hai ZHANG Wan|rong |
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| Affiliation: | SUN Ying-hua,LI Zhi-guo,CHENG Yao-hai,ZHANG Wan-rong(Department of Electronic Engineering, Beijing Polytechnic Uniuersity, Beijing 100022, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | backflow structure metallization microwave power device |
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