| InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器 |
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| 引用本文： | 徐庆庆,陈建新,周易,李天兴,金巨鹏,林春,何力.InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器[J].红外与激光工程,2012,41(1):7-9. |
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| 作者姓名： | 徐庆庆 陈建新 周易 李天兴 金巨鹏 林春 何力 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176082) |
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| 摘 要： | InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器，其优越性表现在高量子效率和高工作温度，以及良好的均匀性和较低的暗电流密度，因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺，包括生长温度和快门顺序等，获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料，X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8，晶格失配a/a=1.510-4。研制的p?鄄i?鄄n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W，黑体探测率为4.541010 cmHz1/2W，峰值探测率达到1.751011 cmHz1/2W。
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| 关 键 词： | InAs/GaSb 超晶格 红外探测器 分子束外延 |
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