| 退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响 |
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| 引用本文： | 叶芸,蔡寿金,颜敏,陈填源,刘玉会,郭太良,林志贤. 退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响[J]. 光电子．激光, 2014, 0(1): 101-106 |
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| 作者姓名： | 叶芸 蔡寿金 颜敏 陈填源 刘玉会 郭太良 林志贤 |
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| 作者单位： | 福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002;福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002 |
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| 基金项目： | 国家“863”重大专项(2013AA030601)、国家自然科学基金(61106053,61101169)、教育部博士基金(20103514110007)和福建省自然科学基金(2013J01236)资助项目 (福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州 350002) |
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| 摘 要： | 以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的 ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬 底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度 对AZO薄膜的形貌、导 电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面 形貌与结晶特性 进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结 晶度变好；场发射 性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当 退火温度为300℃时, AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm, 发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电 性能最好,电阻率为5.42×10－4 Ω·cm。
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| 关 键 词： | Al掺杂ZnO(AZO)薄膜 退火温度 磁控溅射 场发射 |
| 收稿时间： | 2013-04-17 |
Effect of annealing temperature on field emission properties of AZO thin films |
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| Affiliation: | College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China;College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,Fuzhou 350002,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Al doped ZnO (AZO) film annealing temperature RF magnetron sputtering field emission |
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