| Mn注入GaAs半导体的电特性研究 |
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| 引用本文： | 王鹏,杨瑞霞,刘芳芳,李俊林. Mn注入GaAs半导体的电特性研究[J]. 河北工业大学学报, 2003, 32(6): 31-34 |
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| 作者姓名： | 王鹏 杨瑞霞 刘芳芳 李俊林 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,信息工程学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金资助项目(023801444) |
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| 摘 要： | 用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中，用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响．发现在650～850℃温度范围内，随着退火温度的升高，样品的方块载流子浓度呈下降趋势，而载流子迁移率呈明显上升的趋势．这是由于在退火过程中，随着退火温度的升高，有更多的Mn参与MnAs或MnGa相的形成，使得以受主形式存在的Mn减少，并且晶格缺陷得到恢复所致，同时进行了Mn、C双注入实验，分析了C对样品电特性的影响。
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| 关 键 词： | 半绝缘砷化镓 方块载流子浓度 迁移率 晶格缺陷 热处理 锰 离子注入 GaAs半导体 电特性 |
| 文章编号： | 1007-2373(2003)06-0031-04 |
| 修稿时间： | 2003-03-17 |
Electrical Properties of Mn-implanted GaAs Semiconductors |
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| WANG Peng,YANG Rui-xia,LIU Fang-fang,LI Jun-lin. Electrical Properties of Mn-implanted GaAs Semiconductors[J]. Journal of Hebei University of Technology, 2003, 32(6): 31-34 |
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| Authors: | WANG Peng YANG Rui-xia LIU Fang-fang LI Jun-lin |
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| Abstract: | We have studied annealing temperature dependence of electrical properties of the ND (undoped) SI (semi-insulating) (100) GaAs samples implanted with Mn by Hall measurements and electrochemistry C-V method. The experimental results indicated that with increasing the annealing temperature, the sheet carrier concentration decreased, and the Hall mobility increased rapidly. These changes in electrical properties are explained by a decrease in the number of Mn acceptors because of the forming of MnAs or MnGa phase and the resuming of lattice defects during annealing. We also have investigated the effects of C on the electrical properties of samples formed by ion implantation of Mn and C. |
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| Keywords: | semi-insulating GaAs sheet carrier concentration mobility lattice defects annealing |
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