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| 退火处理对磁控溅射制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.上海工程技术大学材料工程学院 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射法在普通玻璃上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜,研究了退火处理对GZO薄膜组织结构、表面形貌及光电性能的影响,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、四探针测试仪等对GZO薄膜的表面形貌、晶体结构、透光率及电阻率等进行测量与表征。结果表明:400~800℃退火对GZO薄膜的生长方式影响较小,所制薄膜均在(002)晶向沿c轴择优取向,退火温度对薄膜表面形貌影响较大,退火温度为600℃时,薄膜表面致密、平整,结晶质量最好,薄膜的透光率超过95%,电阻率最低为4.9×10~(-4)?·cm。 |
| 关 键 词： | 退火处理 磁控溅射 GZO薄膜 组织结构 表面形貌 光电性能 |
Influence of annealing treatment on properties of Ga-doped ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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