采用可调谐高Q有源电感的高优值VCO的研究 |
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引用本文: | 张,正.采用可调谐高Q有源电感的高优值VCO的研究[J].电子器件,2021,44(2). |
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作者姓名: | 张 正 |
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作者单位: | 北京工业大学信息学部,北京100124 |
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基金项目: | (61774012,61574010),北京市自然科学(4142007,4143059),北京市未来芯片技术高精尖创新中心科研基金资助项目(KYJJ2016008),中国博士后科学基金资助项目(2019M650404)。 |
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摘 要: | 对采用新型可调谐、高Q的有源电感(THQAI)的高优值(FOM)压控振荡器(VCO)进行了研究。在LC振荡回路模块中,利用THQAI具有高Q值、较宽调谐范围的特性,分别实现了VCO的低相位噪声和宽的频率调谐范围;在负阻电路模块中,将电流进行复用,使其只有一条直流工作支路,降低了VCO的功耗,又由于电路中的MOS晶体管始终工作在饱和区,进一步降低了VCO的相位噪声;在输出缓冲级,采用共源NMOS晶体管,放大了该VCO的输出波形。最终,这些技术手段使得VCO的调谐范围、相位噪声和功耗均得到了改善,因此获得了高的FOM值。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺库,利用射频集成电路设计工具ADS对该VCO进行性能验证。结果表明,该VCO的振荡频率调谐范围高达73%,最低相位噪声仅为-123dBc/Hz,且功耗仅为13.4mW,FOM值为-195.1dBc/Hz,具有较好的综合性能。
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关 键 词: | 压控振荡器 可调谐有源电感 优值 |
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