| 氮冷等离子体改性KDP晶体液膜接触潮解抛光 |
| |
| 引用本文： | 黄帅,何振湘,张亚宇,吴阶平,尹韶辉,陈逢军. 氮冷等离子体改性KDP晶体液膜接触潮解抛光[J]. 表面技术, 2021, 50(6): 327-337, 346. DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.06.037 |
| |
| 作者姓名： | 黄帅 何振湘 张亚宇 吴阶平 尹韶辉 陈逢军 |
| |
| 作者单位： | 湖南大学 机械与运载工程学院,长沙 410082 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51805159, 51975204);湖南省重点研发项目(2020WK2011) |
| |
| 摘 要： | 目的 利用氮冷等离子体改性KDP晶体表面,实现高质高效的液膜接触潮解抛光.方法 利用氮冷等离子体实时处理潮解抛光界面,实现微汽雾中的液滴在KDP晶体表面由液滴驻留向液膜接触转化,克服水在工件表面形成非均匀点状接触导致新"微凹坑"不断形成的不足.通过研究KDP晶体在含水介质中的材料去除特性,获得调控抛光介质性能的方法,并揭示氮冷等离子体对KDP晶体刻蚀规律的影响.通过研究KDP晶体在抛光界面上的摩擦特性和KDP晶体表面微观结构、拉曼光谱,以及氮冷等离子体对KDP晶体表面亲水改性的时效性,综合评估氮冷等离子体中的KDP晶体的抛光机理.结果 在抛光过程实验中,证明了氮冷等离子体改性KDP晶体潮解能够提高KDP晶体的表面质量.使用优化的放电参数,表面粗糙度(RMS)从18.4 nm下降至7.6 nm,PV值从109.9 nm下降至61.5 nm.材料去除率最低为10.14μm/min,最高达91.58μm/min.结论 利用氮冷等离子体,可快速、无损地将KDP晶体表面处理至超亲水状态,能有效去除液滴驻留产生的微凹坑,表面质量大幅提升,划痕明显减少,实现了液膜接触潮解抛光,为KDP晶体高质高效抛光提供新的思路.
|
| 关 键 词： | 冷等离子体 KDP晶体 亲水改性 边界润滑 表面质量 抛光 |
| 收稿时间： | 2020-12-03 |
| 修稿时间： | 2021-03-12 |
Contact Deliquescence Polishing Process of KDP Crystal Modified by Nitrogen Cold Plasma |
| |
| HUANG Shuai,HE Zhen-xiang,ZHANG Ya-yu,WU Jie-ping,YIN Shao-hui,CHEN Feng-jun. Contact Deliquescence Polishing Process of KDP Crystal Modified by Nitrogen Cold Plasma[J]. Surface Technology, 2021, 50(6): 327-337, 346. DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2021.06.037 |
| |
| Authors: | HUANG Shuai HE Zhen-xiang ZHANG Ya-yu WU Jie-ping YIN Shao-hui CHEN Feng-jun |
| |
| Affiliation: | College of Mechanical and Vehicle Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | cold plasma KDP crystal hydrophilic modification boundary lubrication surface quality polishing |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《表面技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《表面技术》下载全文 |
|
