| (Al)GaInP材料的MOCVD生长研究 |
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| 引用本文： | 俞波,李建军,盖红星,牛南辉,邢艳辉,邓军,韩军,廉鹏,沈光地.(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究[J].激光与红外,2005,35(3):181-183. |
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| 作者姓名： | 俞波 李建军 盖红星 牛南辉 邢艳辉 邓军 韩军 廉鹏 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 科技部 973计划项目(NO.G20000683-02)。 |
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| 摘 要： | 对可见光半导体光电子材料Ga0．5In0．5P、(AlXGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段，研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。
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| 关 键 词： | 金属有机化合物汽相淀积 AlGaInP GaInP |
| 文章编号： | 1001-5078(2005)03-0181-03 |
Study on the MOCVD Growth of (Al) GaInP |
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| YU Bo,LI Jian-jun,GAI Hong-xing,NIU Nan-hui,XING Yan-hui,DENG Jun,HAN Jun,LIAN Peng,SHEN Guang-di.Study on the MOCVD Growth of (Al) GaInP[J].Laser & Infrared,2005,35(3):181-183. |
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| Authors: | YU Bo LI Jian-jun GAI Hong-xing NIU Nan-hui XING Yan-hui DENG Jun HAN Jun LIAN Peng SHEN Guang-di |
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| Abstract: | The MOCVD growth of Ga (0.5)In (0.5)P and (Al XCa (1-X)) (0.5)In (0.5)P were investigated.The effects of the growth parameters such as growth temperature and the growth rate on the material quality were studied by DCXRD and PL measurements.The optimized growth parameters can be used for the fabrication of 650nm laser diodes. |
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| Keywords: | metallorganic chemical vapor deposition AlGaInP GaInP |
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