| 光学光刻技术向纳米制造挺进 |
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| 引用本文： | 葛劢冲,刘玄博. 光学光刻技术向纳米制造挺进[J]. 电子工业专用设备, 2004, 33(3): 22-26 |
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| 作者姓名： | 葛劢冲 刘玄博 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京,东燕郊,101601;中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京,东燕郊,101601 |
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| 摘 要： | 概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。
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| 关 键 词： | 光学光刻 光学邻近效应校正 下一代光刻 纳米制造 优势与前景 |
| 文章编号： | 1004-4507(2004)03-0022-05 |
| 修稿时间： | 2004-02-21 |
Photolithography Pushing Forward to Nano-Fabrication |
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| GE Mai-chong,LIU Xuan-bo. Photolithography Pushing Forward to Nano-Fabrication[J]. Equipment for Electronic Products Marufacturing, 2004, 33(3): 22-26 |
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| Authors: | GE Mai-chong LIU Xuan-bo |
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| Abstract: | Summarizing advances in light source,optics,illumination technology,mask design,Optical Proximity Correction(OPC)and stage during photolithography pushing forward to nano-fabrication,and describing photolithography advantages in mass production applications,introducing requirements for Next Generation Lithography(NGL),to predict prospects of photolithography. |
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| Keywords: | Photolithography OPC NGL Nano-fabrication Advantages and prospects |
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