| 半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展 |
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| 引用本文： | 巩锋,臧竞存,杨敏飞. 半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展[J]. 材料导报, 2003, 17(2): 35-37,75 |
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| 作者姓名： | 巩锋 臧竞存 杨敏飞 |
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| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 北京市教委科研项目，， |
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| 摘 要： | ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV。其禁带宽度对应紫外光的波长，有望开发蓝绿色、蓝光、紫外光等多种发光器件。对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述。
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| 关 键 词： | ZnO晶体 直接宽带隙材料 半导体材料 |
Progress in Research on Crystal Growth and Properties of Semiconductor ZnO |
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| GONG Feng ZANG Jingcun YANG Mingfei. Progress in Research on Crystal Growth and Properties of Semiconductor ZnO[J]. Materials Review, 2003, 17(2): 35-37,75 |
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| Authors: | GONG Feng ZANG Jingcun YANG Mingfei |
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| Abstract: | Since ZnO is a direct semiconductor with a wide band gap energy of 3.37eV and a excition binding energy of 60meV at room temperature.it has potential for visible or ultraviolet light emission.This paper briefly describes growth methods and research progress in semiconductor ZnO crystal materials. |
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| Keywords: | ZnO crystal direct wide band gap material semiconductor material |
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