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| GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究 | |
| 作者单位： | The 13th Institute，ministry of EI，Shijiazhuang，050051 |
| 摘 要： | 本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。 |
| 关 键 词： | GaAsFET，HEMT，中子辐射效应 |
Neutron Radiation Effects in GaAs MESFET and HEMT |
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| Authors: | Wang Changhe |
| Abstract: | The neutron radiation effects in GaAs MESFET and HEMT are pre- sented in this paper.According to the mechanism of radiation damage,the rela- tion between device parameters and neutron dose Φis discussed.The device pa- rameters indude physical parameters N_D,N_s,V_s,μ,and electronic parameters I_DS,g_m,V_p,G. |
| Keywords: | GaAsFET HEMT Netitron radiation effect |
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