1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计 |
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引用本文: | 周建明,陈向东,徐洪波.1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计[J].通信技术,2010,43(8):76-78,81. |
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作者姓名: | 周建明 陈向东 徐洪波 |
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作者单位: | 西南交通大学,信息科学与技术学院,四川,成都,610031 |
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基金项目: | 教育部新世纪优秀人才支持计划计划支持项目 |
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摘 要: | 针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于1.2V电压的基于源级电感负反馈共源共栅结构而改进的CMOS低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性特性等主要性能进行分析。并与传统的低噪声放大器进行对比,该电路采用两级放大结构,通过加入电容和电感负反馈可以分别实现低功耗约束下的噪声优化和高的线性度。采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证,实验结果表明:该低噪声放大器能很好满足要求,且具有1.4dB的噪声系数和好的线性度,输入1dB压缩点-7.8dBm,增益11dB,功耗11mW。
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关 键 词: | 低噪声放大器 噪声系数 负反馈 线性度 |
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