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| 两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性 | |
| 引用本文： | 张国强,严荣良,余学锋,任边远,高文钰,赵元富,胡浴红,王英民.两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性[J].半导体学报,1994,15(1):64-66. |
| 作者姓名： | 张国强 严荣良 余学锋 任边远 高文钰 赵元富 胡浴红 王英民 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理所，骊山微电子研究所 |
| 摘 要： | 对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论． |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 栅介质 电离辐射 |
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