| 激光剥离Al2O3/GaN中GaN材料温度场的模拟 |
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| 引用本文： | 王婷,郭霞,刘斌,沈光地.激光剥离Al2O3/GaN中GaN材料温度场的模拟[J].光电工程,2006,33(3):101-105. |
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| 作者姓名： | 王婷 郭霞 刘斌 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目;科技部科研项目;北京市教委共建项目;北京市科委科研项目 |
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| 摘 要： | 对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符。进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离。
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| 关 键 词： | 温度场 激光剥离 脉冲激光 GaN |
| 文章编号： | 1003-501X(2006)03-00101-05 |
| 收稿时间： | 2006-01-06 |
| 修稿时间： | 2006-02-15 |
Temperature field simulation of GaN material during Al2O3/GaN laser lift-off |
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| WANG Ting,GUO Xia,LIU Bin,SHEN Guang-di.Temperature field simulation of GaN material during Al2O3/GaN laser lift-off[J].Opto-Electronic Engineering,2006,33(3):101-105. |
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| Authors: | WANG Ting GUO Xia LIU Bin SHEN Guang-di |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN |
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