| 激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究 |
| |
| 引用本文： | 梁礼正,张海燕,何艳阳,陈可心,王卫乡,刘颂豪. 激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究[J]. 激光杂志, 2002, 23(2): 48-51 |
| |
| 作者姓名： | 梁礼正 张海燕 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 |
| |
| 作者单位： | [1]广东工业大学应用物理系，广东广州510080 [2]华南师范大学量子电子研究所，广东广州510631 |
| |
| 摘 要： | 用CO2红外激光诱志化学气相沉积的方法制备纳米Si，激光强度越大，则SiH4受热温度越高，纳米Si的成核率越高，纳米Si核的密度越大，每一个核生长所吸收的Si原子数目越少，从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值，则SiH4温度太低，不能裂解。SiH4的流速越快，则纳米Si成核后生长期越短，纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值，则SiH4受热时间太短，升不到裂解所需的高温。以上2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H，3440cm^-1光谱带红移并增强，2150cm^-1光谱带形状变化，1100cm^-1光谱带形状变化，1100cm^-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现，纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中，从低于300℃的温度开始退火。
|
| 关 键 词： | 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米晶硅 制备参数 退火工艺 红外吸收光谱 集成电路 |
| 修稿时间： | 2001-10-20 |
The research of the preparation parameters and annealing technology of the nano - Si prepared by LICVD |
| |
| Liang Lizheng Zhang Haiyan He Yanyang Chen Kexin Wang Weixiang Liu Songhao. The research of the preparation parameters and annealing technology of the nano - Si prepared by LICVD[J]. Laser Journal, 2002, 23(2): 48-51 |
| |
| Authors: | Liang Lizheng Zhang Haiyan He Yanyang Chen Kexin Wang Weixiang Liu Songhao |
| |
| Affiliation: | Liang Lizheng 1 Zhang Haiyan 1 He Yanyang 1 Chen Kexin 2 Wang Weixiang 2 Liu Songhao 2 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LICVD nano Si prepared parameter annealing infrared absorption spectrum |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
