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| 屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤 | |
| 引用本文： | 文林,郭旗,张军,任迪远,孙静,郑玉展,王改丽.屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤[J].核电子学与探测技术,2009,29(2). |
| 作者姓名： | 文林 郭旗 张军 任迪远 孙静 郑玉展 王改丽 |
| 作者单位： | 1. 新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046;中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011 2. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011 3. 新疆大学物理科学与技术学院,新疆,乌鲁木齐,830046 |
| 摘 要： | 为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究.通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理.通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流. |
| 关 键 词： | 抗辐射屏蔽材料 电子辐照 静态功耗电流 |
Electron-induced Damage of CMOS with Shielded Packages |
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| WEN Lin,GUO Qi,ZHANG Jun,REN Di-yuan,SUN Jing,ZHENG Yu-zhan,WANG Gai-li.Electron-induced Damage of CMOS with Shielded Packages[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2009,29(2). | |
| Authors: | WEN Lin GUO Qi ZHANG Jun REN Di-yuan SUN Jing ZHENG Yu-zhan WANG Gai-li |
| Abstract: | |
| Keywords: | CMOS |
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