| 双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析 |
| |
| 引用本文： | 王守武,何乃明,夏永伟.双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析[J].半导体学报,1985,6(4):393-405. |
| |
| 作者姓名： | 王守武 何乃明 夏永伟 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(王守武，何乃明)，中国科学院半导体研究所(夏永伟) |
| |
| 摘 要： | 通过解两维泊松方程,对有覆盖的双层多晶硅电极MOS结构进行了数值模拟.模拟结果表明,电极覆盖明显降低了双层多晶硅电极间隙的势垒高度.对P型硅衬底,双层多晶硅电极间隙处的势垒高度,随着栅电压的增加先增加,达到一个最大值,然后又下降,在高栅压下趋于一个稳定值.势全高度出现最大值的栅电压,就在相应的无电极间隙的MOS结构的阈电压附近.界面电荷的存在降低了势垒高度,当界面电荷密度大于 1×10~(11)/cm~2时,势垒不出现.这种结构的阈电压随电极间隙长度的增加而急剧增加.对间隙长度L_(GG)为0.3μm,栅氧化层厚度T_(ox)为1000A的结构,如果衬底掺杂浓度N_A为1×10~(15)/cm~3,势垒高度最大值为66meV,在高栅压下仅为30meV.它的阈电压比无电极间隙MOS结构高0.13V.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
