| 氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线 |
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| 引用本文： | 孙莉莉,薛成山,艾玉杰,孙传伟,庄惠照,张晓凯,王福学,陈金华,李红. 氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线[J]. 功能材料, 2007, 38(2): 259-260,264 |
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| 作者姓名： | 孙莉莉 薛成山 艾玉杰 孙传伟 庄惠照 张晓凯 王福学 陈金华 李红 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;济南大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 氨化 GaN薄膜 Ti |
| 文章编号： | 1001-9730（2007）02-0259-02 |
| 修稿时间： | 2006-08-212006-10-16 |
Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Ti films on Si substrates |
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| SUN Li-li,XUE Cheng-shan,AI Yu-jie,SUN Chuan-wei,ZHUANG Hui-zhao,ZHANG Xiao-kai,WANG Fu-xue,CHEN Jin-hua,LI Hong. Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Ti films on Si substrates[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(2): 259-260,264 |
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| Authors: | SUN Li-li XUE Cheng-shan AI Yu-jie SUN Chuan-wei ZHUANG Hui-zhao ZHANG Xiao-kai WANG Fu-xue CHEN Jin-hua LI Hong |
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| Abstract: | GaN thin films were successfully prepared on the Si(111) substrates through ammoniating Ga2O3/Ti thin films deposited by magnetron sputtering.The results of XRD,FTIR,SAED and HRTEM confirm that the as-grown films are single-crystal hexagonal GaN with wurtzite structure.We observed the morphology of GaN nanorods by SEM,we found that the diameter of GaN nanorods between 50 to 150nm. |
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| Keywords: | rapid solidification TiNi-Cu alloy annealing temperature microstructure |
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