| C波段GaN HEMT功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 程知群,李成龙.C波段GaN HEMT功率放大器设计[J].杭州电子科技大学学报,2013(6):21-24. |
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| 作者姓名： | 程知群 李成龙 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018 |
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| 基金项目： | 基金项目：浙江省自然科学基金资助项目（Z1110937） |
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| 摘 要： | 该文介绍了一款应用于38 GHz的大功率超宽带功率放大器。电路设计中采用了键合线连接裸片与微带电路，并对该部分单独进行电磁场仿真。采用渐变微带线的方法实现了宽带匹配，通过HFSS与ADS的联合仿真优化设计，完成了大功率宽频带的功率放大器设计和仿真过程，仿真结果表明在频率38 GHz范围内增益（8．5＆#177;1） dB，1 dB压缩点输出功率为48 dBm最大饱和功率为49．5 dBm。
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| 关 键 词： | 氮化镓高电子迁移率晶体管 宽带 功率放大器 联合仿真 |
Design of C-band GaN HEMT Power Amplifier |
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| CHENG Zhi-qun,LI Cheng-long.Design of C-band GaN HEMT Power Amplifier[J].Journal of Hangzhou Dianzi University,2013(6):21-24. |
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| Authors: | CHENG Zhi-qun LI Cheng-long |
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| Affiliation: | (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou Zhejiang 310018, China) |
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| Abstract: | This paper describes the design of 3-8 GHz super broadband and high power microwave power amplifier .The design uses bonding wires connecting the die and microstrip .The bonding wire connecting portion is simulated by HFSS .Gradual changes microstrip is used to achieve broadband matching in this paper.A high-power broadband amplifier is simulated and designed by co-simulation of ADS and HFSS . Simulation results show P1dB of 48 dBm, Psat of 49.5 dBm and Gain of 8.5 ＆#177;1 dB in the frequency range of 3-8 GHz. |
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| Keywords: | GaN HEMT broad band power amplifier co-simulation |
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