| 高银离子浓度非晶质快离子导体的合成 |
| |
| 作者姓名： | 彭会芬 谷南驹 町田信也 重松利彦 |
| |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学材料科学与工程学院, 天津 300130; 2. 甲南大学理工学部, 日本神户658-8501 |
| |
| 基金项目： | 河北省新型功能材料重点实验室项目(408001) |
| |
| 摘 要： | 高能球磨技术是一种有效的合成非晶质材料、纳米材料的方法,本研究利用高能球磨技术制备了Ag2S含量为80％的非晶质快离子导电材料,研究表明:当研磨时间为12～20h可导致非晶质相的形成.这种非晶质材料具有很高的电导率,其中20h研磨样品的室温电导率最高,为296×100Sm-1.进一步研磨致使部分Ag8SiS6晶体相析出,材料的电导率有所下降.利用直流极化技术对这些样品电子电导率测定结果表明:非晶质样品、(研磨时间长于27h的)复相样品以及Ag8SiS6晶体的银离子迁移率为1.
|
| 关 键 词： | 机械研磨 非晶质材料 银离子电导率 Ag8SiS6 |
| 文章编号： | 1000-324X(2003)06-1245-05 |
| 收稿时间： | 2002-11-11 |
| 修稿时间： | 2002-11-11 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
|
