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A Study of the Radiation Hardness of Si and SiC Detectors Using a Xe Ion Beam
Authors:L. Hrubčín  Yu. B. Gurov  B. Zaťko  O. M. Ivanov  S. V. Mitrofanov  S. V. Rozov  V. G. Sandukovsky  V. A. Semin  V. A. Skuratov
Affiliation:1.Joint Institute for Nuclear Research,Dubna,Russia;2.Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences,Bratislava,Slovakia;3.National Research Nuclear University, Moscow Engineering Physics Institute,Moscow,Russia
Abstract:
Keywords:
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