| 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 郝斌魁,姜雪宁,张庆瑜,陈充林.基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响[J].真空科学与技术学报,2006,26(Z1):134-139. |
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| 作者姓名： | 郝斌魁 姜雪宁 张庆瑜 陈充林 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 辽宁省博士科研项目;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.
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| 关 键 词： | 反应射频磁控溅射 GDC电解质薄膜 基片温度 X射线衍射 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)增-0134-06 |
| 修稿时间： | 2005年9月1日 |
Substrate Temperatures and Gd2O3-Doped CeO2 Electrolyte Film Growth by Reactive RF Magnetron Sputtering |
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| Hao Binkui,Jiang Xuening,Zhang Qingyu,Chen Chonglin.Substrate Temperatures and Gd2O3-Doped CeO2 Electrolyte Film Growth by Reactive RF Magnetron Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(Z1):134-139. |
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| Authors: | Hao Binkui Jiang Xuening Zhang Qingyu Chen Chonglin |
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