高频溅射SiO2膜掩蔽GaAs和AlGaAs/GaAs中Zn扩散的研究 |
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作者姓名: | 王雷 张培亮 |
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作者单位: | 清华大学无线电系(王雷,张培亮,刘静),清华大学无线电系(王志忠) |
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摘 要: | 本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。
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关 键 词: | SiO2膜 溅射 GaAs GaAs/GaAs Zn |
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