| 总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用 |
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| 引用本文： | 吕玉冰,王颖,汪朝敏,李金,刘昌林.总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用[J].半导体光电,2014,35(5):782-784. |
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| 作者姓名： | 吕玉冰 王颖 汪朝敏 李金 刘昌林 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060 |
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| 摘 要： | 介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。
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| 关 键 词： | TDI-CCD器件 总剂量辐照效应模型 缺陷 电荷转移效率 |
| 收稿时间： | 2013/10/10 |
Applications of Total Dose Effect Model in TDI-CCD Devices |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TDI-CCD total dose effect model defects charge transfer efficiency |
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