| 一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析 |
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| 引用本文： | 杨洪,李立,吕玉冰,白雪平. 一种内线转移可见光CCD光电特性模拟分析[J]. 半导体光电, 2014, 35(5): 773-776,781 |
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| 作者姓名： | 杨洪 李立 吕玉冰 白雪平 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆光电技术研究所,重庆400060 |
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| 摘 要： | 运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对内线转移可见光CCD积分过程、读出过程光敏区域电势变化规律进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟内线转移CCD器件的仿真模型;对影响器件电荷容量、抗晕性能的纵向抗晕p阱浓度、结深进行了模拟分析,得出p阱浓度应控制在(2.5~5.5)×1016 cm-3,结深应控制在5.5~6.5μm的结论。
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| 关 键 词： | 内线转移CCD 光电特性 纵向抗晕 数值模拟 |
| 收稿时间： | 2013-12-26 |
Simulation of Photoelectric Characteristics of Interline Transfer CCD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | interline transfer CCD photoelectric characteristics vertical-blooming simulation |
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