| InGaN紫外探测器的制备与性能研究 |
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| 引用本文： | 卢怡丹,王立伟,张燕,李向阳.InGaN紫外探测器的制备与性能研究[J].半导体光电,2014,35(5):785-788. |
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| 作者姓名： | 卢怡丹 王立伟 张燕 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100039;中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204134) |
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| 摘 要： | 介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360~390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D*=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。
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| 关 键 词： | GaN/InGaN p-i-n 紫外探测器 伏安特性 响应光谱 |
| 收稿时间： | 2013/12/17 |
Study on the Fabrication and Properties of InGaN Ultraviolet Detector |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/InGaN p-i-n ultraviolet detector I-V characteristics spectral response |
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