含GTO的新型静止无功发生器拓扑的动态模型建模方法

为避免静止无功发生器控制复杂,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)使用数量较多等问题,提出一种含门极可关断晶闸管(Gate Turn⁃off Thyristor,GTO)的新型静止无功发生器,并对含GTO的新型静止无功发生器进行建模,从单相单子模块的数学模型进行分析,写出该模型的状态方程,建立受控源等效模型与小信号模型,研究系统建模方法,并将该方法拓展至子模块级联的建模中;通过MATLAB/Simulink软件仿真验证模型的合理性,为含GTO的新型静止无功发生器的控制系统设计提供参考,为日后新型静止无功发生器拓扑建模提供基础。该结构能够大量节约IGBT的使用,从而节约成本,可改善电能质量,对系统进行无功补偿同时提升电力系统的动态性能,面对系统波动时保障电力系统稳定运行。