高频低介电半脂环聚酰亚胺薄膜的制备与性能

针对高频通讯领域对聚酰亚胺(PI)薄膜材料的应用需求，以半脂环二胺5(6)-氨基-1-(4-氨基苯基)-1,3,3-三甲基茚满(DAPI)与不同的芳香二酐反应，合成了含半脂环结构的PI并制备了对应薄膜，探究了其结构与性能的相关性。结果表明：含半脂环结构的PI具有良好的可溶解加工性，能溶于NMP、DMF、CHC13等常规有机溶剂。制备的薄膜具有良好的力学性能和耐热性，拉伸强度为64.8～82.6 MPa，玻璃化转变温度最高可超过487℃。薄膜的介电常数(D_k)为2.63～4.62(1 kHz～1 MHz)、2.46～2.75(10 GHz)，介质损耗因数(D_f)为0.003 1～0.020 5(1 kHz～1 MHz)、0.006 6～0.017 4(10 GHz)。其中，薄膜B-PI(BPADA-DAPI)在10 GHz下的介电常数为2.75，介质损耗因数为0.006 6，表明在PI分子主链上同时引入半脂环和双酚A结构能制备兼具高频低介电常数、低介质损耗的PI薄膜。