| 合成条件对纳米SiC介电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 罗发,朱冬梅,苏晓磊,李智敏,周万城.合成条件对纳米SiC介电性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(A01):92-94. |
| |
| 作者姓名： | 罗发 朱冬梅 苏晓磊 李智敏 周万城 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（50572090）资助 |
| |
| 摘 要： | 用蔗糖、SiO2、Al2O3溶胶，利用碳热还原法合成了碳化硅粉体。研究结果表明，在1450℃；有少量碳化硅合成。随着合成温度的提高，合成产物逐步由非晶态转化碳化硅：随着合成产物中碳化硅含量的升高，合成粉末的复介电常数增大。与合成的纯碳化硅相比，添加少量Al2O3溶胶后合成的碳化硅的复介电常数明显升高，其原因在于Al、O分别替代Si、C，导致SiC晶格中出现带电缺陷所致。在N2气氛中合成的碳化硅的复介电常数明显高于Ar气氛中合成的SiC的复介电常数，这是由于N原子固溶到SiC晶格中产生带电缺陷引起的。添加较多Al2O3溶胶后，合成产物的复介电常数的实部、虚部低于添加少量Al2O3溶胶时的合成产物的复介电常数的实部、虚部。分析认为，添加较多Al2O3溶胶后，合成产物中出现一定数量的Al2O3，它的复介电常数的实部、虚部均低于SiC的，从而导致合成产物的复介电常数降低。
|
| 关 键 词： | 碳化硅 复介电常数 碳热-还原 溶胶-凝胶 掺杂 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S1-0092-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-312007-01-20 |
Effect of Synthesizing Condition on Dielectric Property of Nanosized SiC |
| |
| Luo Fa, Zhu Dongmei, Su Xiaolei, Li Zhimin, Zhou Waneheng.Effect of Synthesizing Condition on Dielectric Property of Nanosized SiC[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(A01):92-94. |
| |
| Authors: | Luo Fa Zhu Dongmei Su Xiaolei Li Zhimin Zhou Waneheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiC permittivity carbothermal reduction sol-gel doping |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
