| 浮栅技术及其应用 |
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| 引用本文： | 张家龙,何怡刚. 浮栅技术及其应用[J]. 现代电子技术, 2004, 27(24): 8-10 |
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| 作者姓名： | 张家龙 何怡刚 |
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| 作者单位： | 湖南大学,电气与信息工程学院,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。井对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神MOS晶体管做了详细介绍，分析了他们的基本结构和工作原理，以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型，并说明了他们的应用情况及存在的不足。
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| 关 键 词： | 浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压 |
| 文章编号： | 1004-373X(2004)24-008-03 |
Floating-gate Technology and Its Application |
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| ZHANG Jialong,He Yigang. Floating-gate Technology and Its Application[J]. Modern Electronic Technique, 2004, 27(24): 8-10 |
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| Authors: | ZHANG Jialong He Yigang |
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| Abstract: | This paper presents the basic principle and appli ca tion of floatinggate technology. Floatinggate MOS transistors a nd neuron MOS transistors, two typical devices which use floatinggate te chnology are introduced in the article.The structures, operating principles, e qual models and shortages of them are also presented in this paper. |
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| Keywords: | floatinggate technology tunneling affectio n electron trap floatinggate MOS transistors neuron MOS transistors threshold voltage |
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