| 氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅粒 |
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| 引用本文： | 薛清,杨六山. 氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅粒[J]. 半导体技术, 2005, 30(12): 23-25 |
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| 作者姓名： | 薛清 杨六山 |
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| 作者单位： | 淮海工学院数理科学系,江苏,连云港,222005;南阳农业学校,河南,南阳,473000 |
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| 摘 要： | 报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其直径在1.6～15nm以内.并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.
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| 关 键 词： | 纳米晶硅 热退火 拉曼散射 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)12-0023-03 |
| 收稿时间： | 2004-12-05 |
| 修稿时间： | 2004-12-05 |
Nanocrystalline Silicon Clusters Formed in Thermally Annealed a-Si:H Films |
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| XUE Qing,YANG Liu-shan. Nanocrystalline Silicon Clusters Formed in Thermally Annealed a-Si:H Films[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(12): 23-25 |
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| Authors: | XUE Qing YANG Liu-shan |
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| Affiliation: | 1.Department of Mathematics and Physics, Huaihai Institute of Technology, Lianyungang 222005, China; 2.Nanyang Agriculture School, Nanyang 473000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocrystalline silicon RTA Raman scattering |
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