| 深亚微米集成电路中的ESD保护问题 |
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| 引用本文： | 王勇,李兴鸿.深亚微米集成电路中的ESD保护问题[J].电子与封装,2005,5(10):26-31. |
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| 作者姓名： | 王勇 李兴鸿 |
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| 作者单位： | 北京微电子技术研究所,北京100076 |
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| 摘 要： | 本文对深亚微米工艺所引起的集成电路抗静电能力下降的原因和传统保护电路设计的缺陷进行了深入的阐述,从制造工艺、保护电路元件和保护电路结构三方面对深亚微米集成电路中的ESD 保护改进技术进行了详细论述
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| 关 键 词： | 深亚微米集成电路 ESD保护 |
| 文章编号： | 1681-1070（2005）10-26-06 |
| 收稿时间： | 2004-12-22 |
| 修稿时间： | 2004年12月22 |
ESD Protection in Deep Sub-micron Integrated Circuit |
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| Wang Yong Li Xing-hong.ESD Protection in Deep Sub-micron Integrated Circuit[J].Electronics & Packaging,2005,5(10):26-31. |
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| Authors: | Wang Yong Li Xing-hong |
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| Affiliation: | Beijing Microelectronics Technology Institute, Beijing 100076, China |
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| Abstract: | In the paper the decrease of electrostatic discharge caused by deep sub-micron process in integrated circuit is introduced. The improvement methods of ESD protection in deep sub-micron integrated circuit are discussed from process protection component and protection circuit. |
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| Keywords: | Deep Sub-micron Integrated Circuit ESD Protection |
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