| 空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响 |
| |
| 引用本文： | 戴宪起,孙永灿,赵建华,危书义.空位和Si掺杂对In在石墨烯上吸附的影响[J].新型炭材料,2011,26(1). |
| |
| 作者姓名： | 戴宪起 孙永灿 赵建华 危书义 |
| |
| 作者单位： | 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南新乡,453007 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，河南省高校科技创新人才支持计划 |
| |
| 摘 要： | 利用第一性原理方法计算了空位和Si(硅)替位掺杂对In(钢)原子在石墨烯上吸附的影响.结果表明:在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用.而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强.无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附.
|
| 关 键 词： | 第一性原理 吸附 空位 掺杂 铟 硅 石墨烯 |
Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene |
| |
| DAI Xian-qi,SUN Yong-can,ZHAO Jian-hua,WEI Shu-yi.Effect of vacancies and Si-dopant on In adsorption on graphene[J].New Carbon Materials,2011,26(1). |
| |
| Authors: | DAI Xian-qi SUN Yong-can ZHAO Jian-hua WEI Shu-yi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
