| 石墨烯的化学气相沉积法制备 |
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| 引用本文： | 任文才,高力波,马来鹏,成会明. 石墨烯的化学气相沉积法制备[J]. 新型炭材料, 2011, 26(1) |
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| 作者姓名： | 任文才 高力波 马来鹏 成会明 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新项目 |
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| 摘 要： | 化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、生长面积大等优点,逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法.通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法(胶带剥离法、化学剥离法、SiC外延生长法和CVD方法)的原理和特点,重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展,并展望了未来CVD法制备石墨烯的可能发展方向,如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等.
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| 关 键 词： | 石墨烯 制备 化学气相沉积法 转移 |
Preparation of graphene by chemical vapor deposition |
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| REN Wen-cai,GAO Li-bo,MA Lai-peng,CHENG Hui-ming. Preparation of graphene by chemical vapor deposition[J]. New Carbon Materials, 2011, 26(1) |
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| Authors: | REN Wen-cai GAO Li-bo MA Lai-peng CHENG Hui-ming |
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