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| 富锆PZT陶瓷热释电性能的研究 | |
| 作者姓名： | 王聪 曾亦可 易飞 谢静菁 姜胜林 |
| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
| 摘 要： | 介绍了富锆PZT陶瓷F_(RL)和F_(RH)的相变,并测试具有不同锆钛比PZT陶瓷的热释电性能,探索相变温度与锆钛比的关系,找出室温下热释电性能最好的PZT陶瓷锆钛比。通过测试,结果表明当锆钛比为97/3时,PZT陶瓷室温下的热释电性能最好,为30×10~(-4)C/m~2℃,符合热释电探测器的性能要求。 |
| 关 键 词： | PZT 相变 锆钛比 热释电陶瓷 |
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