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| 超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究 | |
| 引用本文： | 刘卫东,李志坚,刘理天,田立林,陈文松,熊大箐.超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究[J].半导体学报,1997,18(7):544-549. |
| 作者姓名： | 刘卫东 李志坚 刘理天 田立林 陈文松 熊大箐 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中的GIDL效应，包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响．发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制，且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用．二维器件模拟结果指出，与SiO2栅NMOSFET相比，LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强． |
| 关 键 词： | 超薄氮氧化硅 GIDI效应 NMOSFET 栅介质 |
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