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| 匹配In0.53Ga0.47As／InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析 | |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 在国产ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（１￣１８ｎｍ）的高质量的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨，当阱宽大于６ｎｍ时，阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好；当阱宽小于６ｎｍ时，实验值小于理论值；对阱宽相同的窄阱而言，我们样品的实验值高于Ｔｓａｎｇ的实验 |
| 关 键 词： | 匹配量子阱材料 GSMBE生长 光电子器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |