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| Zn1—xMnxSe／ZnSe应变超晶格的分子束外延生长及特性研究 | |
| 引用本文： | 靳彩霞,沈孝良.Zn1—xMnxSe／ZnSe应变超晶格的分子束外延生长及特性研究[J].半导体学报,1997,18(9):648-653. |
| 作者姓名： | 靳彩霞 沈孝良 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６，ｘ＝０．１４）超晶格结构，用Ｘ射线衍身 喇曼散射对其结构，应变分布以及光散射性能进行了研究，江超晶格的总厚度大于最度是格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数，此时在（１００）平面，ＺｎＳｅ阱层受到张应变，而Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ垒层受到压变应。从而，导致其喇曼光谱中，ＺｎＳｅ Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ垒 |
| 关 键 词： | 分子束外生长 化合物半导体 应变超晶格 |
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