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(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究
引用本文:陈定钦,邢益荣,李国华,朱勤生,曹作萍,张广泽,肖君,吴汲安,钟战天.(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究[J].半导体学报,1997,18(11):832-835.
作者姓名:陈定钦  邢益荣  李国华  朱勤生  曹作萍  张广泽  肖君  吴汲安  钟战天
作者单位:[1]中国科学院 [2]体研究所
摘    要:光致发光(PL)实验表明;与(001)衬底比较,(113)B-GaAs/Al0.3Ga0.7As单量子阱结构(SQW’s)具有增强的光跃迁几率,它被归因于(113)B-GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出:这个数值比以前所报道的都高.

关 键 词:超晶格  量子阱  光致发光谱  结构
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