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| Si^＋注射热生长SiO2的光致发光激发谱与光电子能谱 | |
| 作者姓名： | 宋海智 鲍希茂 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| 摘 要： | ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光电子能谱显示样品注入层为比较均匀的ＳｉＯｘ；１０００℃以上退火样品的发发光谱为峰值在７３０ｎｍ的红光带，其激光发谱有一个２３０ｎｍ的窄，同时在５００ｎｍ附近还有一随退火处理不断红移和增强的宽带，光电子能谱表明退火使样品注入层分离 |
| 关 键 词： | 二氧化硅 硅离子 注入 PLE XPS 热生长 |
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