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| InxGa1—xAs／InP应变多量子阱P—i—N结构的GSMBE生长及X射线双晶… | |
| 作者姓名： | 王晓亮 孙殿照 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 在国产ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同Ｉｎ组分的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱Ｐ－ｉ－Ｎ结构材料，阱层中的设计Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８，用Ｘ射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用Ｘ射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟，确定出了该组样品阱层中的Ｉｎ组分，阱宽及垒宽。结果表明，每个样品的ＤＣＸＲＤ衍射图样上均至少可以看到１４个锐 |
| 关 键 词： | 应变多量子阱 GSMBE生长 结构 X射线双晶衍射 |
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