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| C~+注入硅形成β-SiC埋层研究 | |
| 作者姓名： | 陈长清 杨立新 严金龙 陈学良 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所微电子学分部 |
| 摘 要： | 在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态，即使经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火之后仍没有发现结晶态衍射峰存在．研究同时揭示了不同C+注入剂量对所形成β-SiC埋层结晶程度的影响，以及不同退火工艺对于样品制备的影响．通过AES成分深度测试及剖面透射电子显微镜（XTEM）可以直观分析β-SiC埋层的内在结构． |
| 关 键 词： | 碳化硅 埋层 注入 |
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