| 用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用 |
| |
| 引用本文： | 梁励芬,董树忠.用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用[J].半导体学报,1997,18(2):81-84. |
| |
| 作者姓名： | 梁励芬 董树忠 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| |
| 摘 要： | 用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅
|
| 关 键 词： | 硅 STM 混合气体处理 表面原子结构 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
