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| 刻蚀腔InGaAs／Inp双异质结激光器的制作与特性 | |
| 作者姓名： | 颜学进 张权生 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 双异质结 刻蚀腔 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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