| 掺Pd的SnO_2介孔薄膜的气敏特性研究 |
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| 引用本文： | 张锦瑞,许军娜,凌云汉. 掺Pd的SnO_2介孔薄膜的气敏特性研究[J]. 仪表技术与传感器, 2010, 0(7) |
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| 作者姓名： | 张锦瑞 许军娜 凌云汉 |
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| 摘 要： | 采用蒸发诱导自组装工艺制备了Pd-SnO2介孔金属氧化物薄膜。采用静态配气法,研究了Pd掺杂量对SnO2元件气敏性的影响,并通过测定电化学阻抗谱,分析了介孔金属氧化物的气敏机理。结果表明:Pd掺杂降低了SnO2元件对氢气初始响应温度,并提高了元件对氢气灵敏度;Pd掺杂量为0.5%时,SnO2元件对氢气的气敏性最好;温度为175℃时,0.5%Pd-SnO2对体积分数为1 000×10-6氢气灵敏度为22.6;阻抗分析表明,通入还原性气体后,氧化物的晶界电阻明显减小。
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| 关 键 词： | 介孔 Pd-SnO2薄膜 蒸发诱导自组装 气敏 |
Investigation on Gas Sensing Properties of Mesoporous SnO2 Thin Films Doped With Pd |
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| ZHANG Jin-rui,XU Jun-na,LING Yun-han. Investigation on Gas Sensing Properties of Mesoporous SnO2 Thin Films Doped With Pd[J]. Instrument Technique and Sensor, 2010, 0(7) |
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| Authors: | ZHANG Jin-rui XU Jun-na LING Yun-han |
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