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| Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究 | |
| 引用本文： | 周咏东,汤定元,方家熊,李言谨,龚海梅,吴小山,靳秀芳.Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究[J].红外与毫米波学报,2001,20(4):249-252. |
| 作者姓名： | 周咏东 汤定元 方家熊 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 |
| 作者单位： | 1. 南京大学微结构物理实验室,苏州大学物理系, 2. 中国科学院上海技术物理研究所, 3. 南京大学微结构物理实验室, |
| 基金项目： | 国家高技术航天领域青年基金 (编号 :863 -2 .0 0 .4)，江苏省教委自然科学基金 (编号 :98KJB43 0 0 0 1)资助项目~~ |
| 摘 要： | 通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究，结合HgCdTe器件工艺，成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件；通过对器件的C－V特性实验分析，获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明：溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。 |
| 关 键 词： | 薄膜 HgCdTe 红外焦平面 器表面纯化 MIS器件 碲化镉 硫化锌 |
FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS |
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| ZHOU Yong Dong, FANG Jia Xiong LI Yan Jin GONG Hai Mei WU Xiao Shan JIN Xiu Fang TANG Ding Yuan.FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2001,20(4):249-252. | |
| Authors: | ZHOU Yong Dong FANG Jia Xiong LI Yan Jin GONG Hai Mei WU Xiao Shan JIN Xiu Fang TANG Ding Yuan |
| Abstract: | The HgCdTe MIS device of CdTe and ZnS double insulator layers was successfully fabricated by using the techniques of the Ar + beam sputtering deposition of CdTe and ZnS films and the HgCdTe device manufacture. The MIS device C V measurement was used to give the electric character of the CdTe/HgCdTe interface. It is proved that the CdTe+ZnS double layer passivant can satisfy the surface passivation of HgCdTe infrared focal plane array. |
| Keywords: | CdTe film HgCdTe infrared focal plane array device surface passivation ZnS |
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